型号 | PHKD3NQ10T,518 |
厂商 | NXP Semiconductors |
描述 | MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC |
PHKD3NQ10T,518 PDF | |
代理商 | PHKD3NQ10T,518 |
标准包装 | 2,500 |
系列 | TrenchMOS™ |
FET 型 | 2 个 N 沟道(双) |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 3A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 90 毫欧 @ 1.5A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 4V @ 1mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 21nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 633pF @ 20V |
功率 - 最大 | 2W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装 | 8-SO |
包装 | 带卷 (TR) |